Виявлено новий механізм деформації в мікропроцесорних нанолистах

15 червня 2025 р. 11:48

15 червня 2025 р. 11:48


Зі зменшенням розмірів електроніки виникає потреба в точному аналізі наноструктур без порушення їхньої цілісності.

Нове дослідження , проведене вченими IBM спільно з фахівцями з Національного синхротронного джерела світла II (NSLS-II), відкриває такі можливості. Вони використали «пучок рентгенівського випромінювання діаметром 12 нанометрів» , щоб виявити деформації в нанолистах — надтонких матеріалах, що використовуються в мікропроцесорах нового покоління. «Рентгенівське зондування дозволило вивчити внутрішню структуру нанолистів без їхнього пошкодження» , — зазначили дослідники.

Результати виявили два механізми деформації, які суперничають між собою на різних масштабах. Перший — відомий ефект релаксації , зумовлений невідповідністю решіток між шарами матеріалу. Другий — новий і домінує на рівні товщини нанолиста; його викликає саме шарування структури. Як пояснив провідний автор, «цей ефект раніше не спостерігався настільки чітко й вказує на локалізовану зміну структури поблизу країв» .

Отримані знання можуть сприяти створенню стабільніших мікропроцесорів із прогнозованими характеристиками. Дослідники стверджують, що впровадження неруйнівних методів аналізу забезпечить контроль над якістю наноструктур на ранніх етапах виробництва. Це відкриває шлях до наступного покоління GAAFET-транзисторів — транзисторів із повним обведенням затвора, які є основою сучасних суперкомп’ютерів і смартфонів .

Таким чином, поєднання нанофокусуючої оптики з рентгенівською візуалізацією є ключем до розуміння глибших властивостей матеріалів. «Ми нарешті можемо бачити, що відбувається всередині матеріалів, які формують основу цифрового світу» , — підкреслили вчені.

Виявлено новий механізм деформації в мікропроцесорних нанолистах

Джерело: cikavosti.com (Наука)

Завантажуєм курси валют від minfin.com.ua